BGBM製程的簡介BGBM為Backside Grinding (晶背研磨) Backside Metallization (晶背金屬化)兩種連續性的製程縮寫，稱為晶圓背面研磨和晶背金屬化，又稱晶背金屬鍍膜製程，其成品Wafer產業內稱為BackSideM

為什麼要控制Wafer Warpage的範圍呢?因為過大的Warpage是無法使用現行量產機台走自動化作業，甚至上機量產時常需要人工做輔助會造成機台撞片、加工破片、良率偏低、UPH下降…等重大問題發生

BGBM現行製程能力超薄化技術研磨製程極限最薄可達25um (以業界領先的範例 昇陽半導體為主)

BGBM製程的優點

晶圓薄化技術充分因應市場對半導體元件輕薄短小、高性能、節能之高度需求，因此可廣泛運用在MEMS、CMOS、3DIC、Memories、Logic、Power、RF、LED、Interposer、Diode、Schottky Diode、IGBT等各種用途之中這個製程主要為降低源極(source)-汲極(drain) 總通道阻抗以加強高功率IC 例如 IGBT, MOSFET 的耗電及散熱特性。

藉由使用晶圓薄化技術可提供積體電路高密度互連，大幅縮短導線或TSV間距，降低功率損失，並滿足元件封裝薄型化、小型化之需求，實現半導體元件性能全面提升之目標。

實際與客戶端之討論後，銀- 發現有高頻需求的產品，更可以透過此材料來提升傳輸效率的達成鈦、鎳、銅- 有效的幫助產品快速的散熱，維持更好的工作溫度未來會有更有效的新材料導入，來幫助更多客戶的不同需求。